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          經我司研發團隊全體成員共同努力,截至目前受理和獲得授權各類專利共計222項。
          專利清單列表如下:

          序號申請號專利名稱發明類型
          1PCT/CN2012/085993超結的制作方法PCT
          2PCT/CN2012/085995RB-IGBT 的制作方法
          3PCT/CN2012/083826一種功率半導體器件及其形成方法
          4PCT/CN2012/088087用于半導體功率器件的溝槽式終端及其制備方法
          5PCT/CN2012/088053一種高壓超結 IGBT 的制作方法
          6PCT/CN2012/086016一種 TI-IGBT 及其形成方法
          7PCT/CN2012/086018RC-IGBT 及其制作方法
          8PCT/CN2012/085999IGBT 及其元胞結構、以及 IGBT 的形成方法
          9PCT/CN2012/086001ITC-IGBT 及其制作方法
          10PCT/CN2012/088110一種 IGBT 結構及其制備方法
          11PCT/CN2013/083602一種 TI-IGBT 器件及其制造方法
          12PCT/CN2014/084086一種雙模式絕緣柵晶體管
          13201210519863超結的制作方法發明
          14201310102479.5逆阻型絕緣柵雙極晶體管的制作方法
          15201310025255.9一種功率半導體器件及其形成方法
          16201210499322.6一種 IGBT 器件及其形成方法
          17201210418809.7一種 IGBT 器件及其制作方法
          18201210370720.8 用于半導體功率器件的溝槽式終端及其制備方法
          19201210370852.0采用質子輻照制備終端結構的方法
          20201210371807.7FRD 的制備方法
          21201310087246.2一種 IGBT 結構及其制作方法
          22201210371127.5用于半導體功率器件的終端
          23201210500942.7一種逆導型 IGBT 器件及其形成方法
          24201210501722.6一種逆導型 IGBT 器件
          25201210426232.4IGBT 器件及其制作方法
          26201210530076.6一種 IGBT 及其制作方法
          27201210526368.2一種絕緣柵雙極型晶體管
          28201210526416.8一種絕緣柵雙極型晶體管及其制作方法
          29201210418921一種絕緣互聯散熱板及功率模塊
          30201210506054.6一種半導體器件及其制作方法
          31201310086257.9一種功率器件的制備方法
          32201310085560.7一種帶緩沖層的低壓 IGBT 及其制作方法
          33201210540050.X一種隧穿型逆導 IGBT 及其制造方法
          34201310085640.2PIN 超結結構
          35201210540052.9一種溝槽型 IGBT 及其制造方法
          36201310085577.2一種溝槽型 IGBT 結構的制作方法
          37201310086213.6一種終端與有源區形成弱電連接的結構及其設計方法
          38201210540053.3一種增強微穿通型 IGBT
          39201310086221一種功率器件— TI-IGBT 的結構及其制備方法
          40201310085533.X 功率器件 -MPT-TI-IGBT 的結構及其制備方法
          41201310085535.9EMPT-TI-IGBT 器件的結構及其制備方法
          42201310086227.8一種電場阻斷型 IGBT 結構的制備方法
          43201310086224.4一種 IGBT 短路集電極結構的制備方法
          44201310085624.3一種 IGBT 的緩沖層結構及其制作方法
          45201310086355.2用于絕緣柵雙極晶體管的防閂鎖終端區
          46201210524694.X逆導型 IGBT 的集電極結構及其制備方法
          47201210526482.5逆導型 IGBT 的背面結構及其制備方法
          48201210526292.3逆導型 IGBT 的制備方法
          49201310086262.X 一種中高壓溝槽型功率器件的終端結構及其制作方法
          50201310085579.1一種平面型 IGBT 結構的制備方法
          51201210519798.1一種 TI-IGBT 及其形成方法
          52201210519817RC-IGBT 及其制作方法
          53201210520131.3IGBT 及其元胞結構、以及 IGBT 的形成方法
          54201210519402.3ITC-IGBT 及其制作方法
          55201310058786.8一種絕緣柵雙極型晶體管及其制作方法
          56201210509411.4IGBT 及其制作方法
          57201210510311.3一種穿通型 IGBT 及其制作方法
          58201210551729.9一種絕緣柵場效應晶體管及其制作方法
          59201210543954.8一種帶 FS 層的PT 型功率器件的制作方法
          60201210526291.9一種 IGBT 結構及其制備方法
          61201210524692.0一種逆導型絕緣柵雙極晶體管結構及其制備方法
          62201210421076.2采用金屬硅化物的功率半導體器件結構及制備方法
          63201210449247.2鈍化半導體接觸表面的功率半導體器件的集電極結構及制備方法
          64201210372401.0逆導 IGBT 器件結構及制造方法
          65201310013013.8功率半導體器件的背面集電極結構
          66201310072619.9 FS 型 IGBT 器件的背面結構
          67201210476017.5逆導 IGBT 器件及制造方法
          68201310012548.3功率半導體器件的集電極結構
          69201310013014.2絕緣柵雙極晶體管的集電極背面結構
          70201310064612.2 IGBT 背面結構及制備方法
          71201210494615.5IGBT 集電極結構
          72201310008968.4一種 IGBT 集電極結構及其制備方法
          73201310590102.9一種逆阻型絕緣柵型雙極晶體管的制作方法
          74201310574715.3IGBT 的制作方法
          75201310661952.3半導體器件、 PIN 二極管和IGBT 的制作方法
          76201410135996.7半導體器件的制作方法及 TI-IGBT 的制作方法
          77201410529420.9 半導體器件的制作方法、 TI-IGBT 的制作方法
          78201410132211.0一種 IGBT 過溫保護電路以及保護方法
          79201410048620.2半導體器件封裝結構的檢測方法
          80201410133262.5TI-IGBT 的制作方法
          81201410136330.3半導體器件的制作方法及 TI-IGBT 的制作方法
          82201410133404.8半導體器件的集電極結構及 TI-IGBT
          83201410133920.0半導體器件的集電極結構及 TI-IGBT
          84201410134465.6功率半導體器件的高溫測試方法
          85201410049363.4逆變電路及不間斷電源電路
          86201410529818.2焊接層質量對半導體器件性能影響的研究方法、焊接方法
          87201310618201.3一種 RB-IGBT 的制備方法
          88201310697677一種 TI-IGBT 器件
          89201310616655.7一種 Trench-RB-IGBT 的制備方法
          90201310616662.7一種低壓 RB-IGBT 的制備方法
          91201410274412.4一種 TI-IGBT 芯片背面結構的加工方法
          92201410287757.3一種雙模式絕緣柵晶體管
          93201410271677.9 一種溝槽隔離 IGBT 器件
          94201410192829.6 一種測量 IGBT 穩態熱阻值的方法
          95201410194176.5 一種檢測 IGBT 功率器件可靠性的系統和方法
          96201410271507.0 一種集成可變柵電阻柵極結構
          97201410529546.6 一種電磁爐 IGBT 的耐壓測試裝置和方法
          98201510683900.5壓接式 IGBT 器件
          99201510550931.3一種絕緣柵雙極型晶體管及其制作方法
          100201510548998.3一種逆阻型 IGBT 及其制作方法
          101201510550929.6一種逆導型絕緣柵雙極晶體管及其制作方法
          102201510786081.7一種 IGBT 及其制作方法
          103201510784090.2一種 IGBT 及其制作方法
          104201510776865.1IGBT 器件及其制作方法
          105201510548523.4一種逆導型絕緣柵雙極晶體管及其制作方法
          106201510548390一種逆導型絕緣柵雙極晶體管及其制作方法
          107201510550928.1一種逆導型絕緣柵雙極晶體管及其制作方法
          108201510770393.9逆阻型 IGBT 芯片及其制作方法
          109201510771390.7RB-IGBT 芯片的制作方法及 RB-IGBT 芯片
          110201510770347.9RB-IGBT 芯片的制作方法及 RB-IGBT 芯片
          111201510784111一種快恢復二極管及其制作方法
          112201510548524.9一種快恢復二極管及其制作方法
          113201510121640.2 IGBT 器件及其制作方法
          114201510119746.9絕緣柵雙極型晶體管及其制作方法
          115201510103019.3降低陽極空穴注入的二極管結構
          116201510103235.8改善恢復耐量的二極管結構
          117201510103244.7降低動態損耗的溝槽式二極管結構
          118201510271797.3一種超高深寬比的超結制造方法
          119201510271920.1雙溝道超結 IGBT
          120201510583125.6一種 IGBT 驅動電路
          121201510584009.6變頻器過流保護電路
          122201510583542.0具備載流子存儲的平面柵 IGBT 器件
          123201510583251.1具有載流子存儲層的溝槽柵 IGBT 制備方法
          124201510819602.4能降低米勒電容的超結 IGBT 器件
          125201510601441.1IGBT 高效驅動電路
          126201510600812.4IGBT 動態測試閂鎖保護電路
          127201510598391.6大電流 IGBT 芯片的測試夾具
          128201510590265.6混合 PIN 肖特基二極管的制備方法
          129201510600983.7具有內置二極管的 IGBT 器件的背面工藝
          130201510600038.7能實現背面精細化光刻的 IGBT 背面制作方法
          131201610148231.6 具有集成柵源電容的 IGBT 器件
          132201610147403.8 提高動態雪崩抗性的功率二極管
          133201610298120.3 一種抗閂鎖 IGBT 器件
          134201610298661.6 具有高抗閂鎖能力的 IGBT 器件
          135201611240226.4 用于快速評估絕緣柵雙極晶體管性能的基座
          136

          201611240210.3

          IGBT 正面結構與制備方法
          137201611240202.9 柵極電阻、電容連續可調的 IGBT 測試電路
          138201611240129.5 高壓大電流 IGBT 的動態測試平臺及測試方法
          139201611240236.8 溝槽 IGBT 器件及其制造方法
          140201611240234.9 用于快速評估快恢復二極管性能的基座
          141201611240233.4 可自主設置調節的 IGBT 驅動電源拓撲
          142201611255787.1 IGBT 及 FRD 芯片動態測試夾具
          143201611255694.9 正弦逆變器 IGBT 結溫波動計算方法
          144201611254701.3 改善型磁隔離 IGBT 驅動電路
          145201611254208.1 IGBT 動態有源鉗位保護電路
          146201710014443.x具有軟恢復特性的快恢復二極管結構
          147201710007355.7 一種 FS 型IGBT 器件的制造方法
          148201710007181.4 用于兼顧 IGBT 短路能力與開關速度的版圖結構
          149201710007163.6 具有高抗短路能力的 IGBT 器件
          150201710007148.1 IPM 馬達驅動應用中的自舉電路
          151201710007013.5 基于改進型滑膜觀測器的 BLDCM 控制系統及控制方法
          152201710828440x溝槽型半導體功率器件及其制備方法
          153201710827889.4 具有軟關斷特性的 FS 型IGBT 器件
          154201710827906.4 具有高抗短路能力的溝槽柵 IGBT 器件及其制備方法
          155201710827886.0 能進行終端橫向耐壓測試的 IGBT 版圖
          156201711017467.7壓接式 IGBT 器件正面金屬電極結構的制備方法
          157201711017439.5用于壓接式 IGBT 器件正面電極加工的基片
          158201711012160.8RC-IGBT 器件的背面加工方法
          159201711017441.2RC-IGBT 器件的背面結構制備方法
          160201711012226.3用于 RC-IGBT 晶圓背面加工的基片
          161201711445491.7 一種 IGBT 可靠性測試的控制方法、裝置及系統
          162201711445359.xIGBT 模塊功率表循環老化試驗裝置及方法
          163201711444393.5 基于神經網絡的自適應諧波檢測方法及檢測電路
          164201711442696.3 MPS-FRD 器件的加工方法
          165201711442524.6 具有浮空 P 島的溝槽型二極管及其制備方法
          166201711442489.8 提升抗閂鎖能力的低通態壓降IGBT
          167201711442211.0 具有低米勒電容的 IGBT 器件
          168201120209191.4一種場限環結構實用新型
          169201120220830.7IGBT 版圖
          170201120268817.9通過外延方法形成 FS 層的高壓IGBT
          171201220505060.5一種高壓半導體器件及其終端
          172201220652041.5一種半導體功率器件
          173201220657534.8一種 IGBT
          174201220647148一種半導體器件
          175201320121922.9一種中高壓 IGBT 終端
          176201320121908.9一種 IGBT 的版圖
          177201320123024.7絕緣柵型雙極晶體管
          178201320121934.1一種有源區金屬與終端區形成電連接的版圖
          179201520087935.8 結終端延伸的終端版圖結構及其終端結構
          180201220688948.7一種在 IGBT 或者VDMOS 上形成的溝槽
          181201220689587.8一種逆導型 IGBT 的背面版圖布局
          182201220587115.1一種 IGBT 版圖
          183201220586619.1一種 IGBT 版圖
          184201220652972.5一種 IGBT 版圖
          185201220672107.7一種 IGBT 功率模塊測試夾具
          186201320024327.3用于兩單元 73 毫米功率器件模塊電容的測試裝置
          187201320024496.7用于 IGBT 兩單元功率器件模塊動態特性的測試裝置
          188201220702762.2一種適用于 dummy-trench 功率器件的版圖
          189201220674679.9一種溝槽型 IGBT 版圖結構
          190201220672867.8一種 IGBT 版圖
          191201220589990.3檢測電磁爐 IGBT 殼溫的溫控裝置
          192201220641901.5塑封引線框架
          193201320013251.4IGBT 背面集電極結構
          194201320012538.5IGBT 芯片版圖布局結構
          195201320761013.1一種 IGBT 緩沖吸收電路
          196201320865468.8絕緣柵雙極晶體管過流保護電路
          197201420324413.0 超聲掃描顯微鏡優化裝置
          198201520132938.9降低陽極空穴注入的二極管結構
          199201520133815.7改善恢復耐量的二極管結構
          200201520134047.7降低動態損耗的溝槽式二極管結構
          201201520729965.4IGBT 高效驅動電路
          202201520729562.XIGBT 動態測試閂鎖保護電路
          203201520728255.X大電流 IGBT 芯片的測試夾具
          204201320121865.4結終端延伸的終端版圖結構及其終端結構
          205201620408433.5 具有高抗閂鎖能力的 IGBT 器件
          206201620407834.9 具有集成柵源電容的 RCIGBT 器件
          207201620391448.5 一種抗閂鎖 IGBT 器件
          208201621458525.0 用于快速評估絕緣柵雙極晶體管性能的基座
          209201621458524.6 用于快速評估快恢復二極管性能的基座
          210201621458522.7 可自主設置調節的 IGBT 驅動電源拓撲
          211201621475385.8 IGBT 動態有源鉗位保護電路
          212201621476717.4 改善型磁隔離 IGBT 驅動電路
          213201621492235.8 IGBT 及 FRD 芯片動態測試夾具
          214201621488230.8 柵極電阻、電容連續可調的 IGBT 測試電路
          215201720010202.3 IPM 馬達驅動應用中的自舉電路
          216201720012859.3 具有高抗短路能力的 IGBT 器件
          217201720012858.9 用于兼顧 IGBT 短路能力與開關速度的版圖結構
          218201720012857.4 具有軟恢復特性的快恢復二極管結構
          219201721396897.X用于 RC-IGBT 晶圓背面加工的基片
          220201721860534.7 具有低米勒電容的 IGBT 器件
          221201721858600.7 提升抗閂鎖能力的低通態壓降IGBT
          22220182014342.9IGBT 芯片的過流檢測保護電路

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