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          技術實力:

           

          目前已開發完成15-100A/1200V、20-100A/1700V非穿通型平面柵和溝槽柵IGBT系列產品以及配套FRD產品,15A/600V場截止型溝槽柵IGBT產品,已完成2500V,3300V,4500V和6500V系列IGBT芯片樣品的開發,其中6500V IGBT芯片樣品的擊穿電壓達到7100V以上。正在進一步優化相關參數,拓展產品規格,目標是形成600V-6500V全系列IGBT產品。




          IGBT器件結構:

           

          (a) 溝槽柵穿通型Trench+PT             (b) 平面柵非穿通型Planar+NPT
          (c) 溝槽柵非穿通型Trench+NPT        (d) 平面柵場截止型Planar+FS
          (e) 溝槽柵場截止型Trench+FS          (f) 載流子存儲層溝槽柵場截止型Trench+CS+FS

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